無電解ニッケルめっきの原理

無電解ニッケルめっきは還元剤である次亜リン酸塩が酸化され亜リン酸塩になります。このとき電子を放出しニッケルイオンを還元しニッケル（めっき被膜）となります。
この反応が進むのは、触媒である鉄（製品）により還元剤の酸化が始まるためであります。また、析出したニッケルが触媒となり次々とニッケルイオンを還元する反応を進行させるので、自己触媒型還元めっきと総称されます。

電気ニッケルめっきの原理

光沢ニッケルめっきなどの電気ニッケルめっきでは、金属イオンの還元は外部電源（整流器）から供給される電子を受け取ることにより行われます。
溶液中の金属（ニッケル）イオンが電子をもらい陰極（鉄板）に金属（ニッケル）となり析出する。陽極（ニッケル極板）を使用し、ニッケルが溶解することによりめっきが行われます。
浴の主成分である硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ほう酸の量が適切ならば、めっき浴は平衡状態を保ち半永久的に使用されます。

無電解ニッケルめっきの長所

• 無電解ニッケルめっきは還元反応による析出機構のため、外部電源を必要としません。
• 無電解ニッケルめっきは電流分布の影響がないため、めっき厚さは均一な分布を示します。そのため硬質クロムめっきや電気ニッケルめっきと異なり、電流分布の影響がないので複雑な形状の部品にも均一にめっきできます。
• 無電解ニッケルめっきの断面は層状構造をもち、電気ニッケルめっきと比較してピンホールが少なくなります。
• 被膜中のリン含有率、めっき後の熱処理により、特殊な物性のめっき膜が得られます。

無電解ニッケルめっき短所

• 電気ニッケルめっきに比べ、浴組成の変動が大きく管理がやや難しくなります。
• 浴温度が90℃前後と高温のため、熱の影響を受ける製品では注意が必要です。
• 電気ニッケルめっきに比べ材料費が高く、めっき析出速度が電気ニッケルめっきに比べて遅いため加工コストが高くなります。
• 浴中に反応生成物質として、亜リン酸が蓄積し老化液となる。めっき速度が低下し、最終的には廃液となります。

低リンタイプ

リン含有率が3wt.%程度以下の低リンタイプで、 特長として析出状態でも皮膜が硬い、耐アルカリに優れる、特殊素材(ITO,ポリイミド、ガラス)への密着性が良い、還元効率が高い等があげられます。 ただし、皮膜外観やリン含有率に対して浴のかく拌の影響を受けやすい、浴寿命が比較的短い(濁りやすい)、高コストである等の欠点もあります。 用途には電子部品、バルブ、複合めっきのマトリクス等あるが、浴管理が比較的難しいため広く利用されているとは言い難いです。

中リンタイプ

リン含有率が9wt.%前後の中リンタイプで、早くから一般的に使用されており、無電解ニッケルめっきと言えばこのタイプを示すことも多いです。 特長は、優れた耐食性・防食性に加えて、浴の使い易さ、析出速度の速さ、一般素材への付きまわりの良さ等があげられ、諸物性のバランスが取れているため汎用性が高く用途が広いです。なお、通常リン含有率はめっき浴の老化とともに増加していくので老化浴から析出した皮膜は高リンタイプになっている場合があります。

高リンタイプ

リン含有率が12wt.%程度以上の高リンタイプで、特にハードディスクの下地用めっきとしてその使用量が急増しました。 特長は比較的高温で熱処理しても非磁性を維持すること、耐酸性に優れること、浴が安定で濁りにくいこと等があげられます。ただし,析出速度が遅く、浴寿命も多少短い、比較的光沢が無い等の短所もあります。 適用例は、ハードディスクの下地めっき以外にも抵抗体等があります。